可以引起腦癱的發(fā)病因素眾多,以現(xiàn)在來說,父母產(chǎn)前的不良行為就是腦癱的一個高發(fā)因素,比如,相對常見的就是吸煙、酗酒,或者是患高血壓,以及糖尿病等人群,要高度重視,下面就造成小兒腦癱的原因進(jìn)行介紹:
一、物理因素:最常見的物理性致畸因子有射線、機(jī)械因素、高溫、嚴(yán)寒、微波、缺氧等。
a.射線,X線和放射性同位素的α、β、γ射線對人胚神經(jīng)系統(tǒng)發(fā)育有致畸作用,當(dāng)小于3個月的胎兒受輻照的劑量超過25cGy時腦癱的形成原因,可增加胎兒畸形或死亡的危險。
b.高溫高溫對早期胚胎神經(jīng)系統(tǒng)發(fā)育有致畸作用。當(dāng)受精后20~28天期間,孕婦如發(fā)燒至39℃以上時,胎兒容易出現(xiàn)后頭部腦疝畸形,而在妊娠4~14周時孕婦接觸高溫后,胎兒出生后可出現(xiàn)精神呆滯,肌張力低下等中樞神經(jīng)系統(tǒng)損害。
二、化學(xué)因素:許多藥物和環(huán)境污染物對胎兒發(fā)育有致畸作用。這和藥物的性質(zhì)、毒性、劑量、給藥方式、作用時間等有關(guān),也和胚胎月齡有關(guān)。致畸藥物的種類繁多,常見的有,抗腫瘤藥、抗凝血藥、有機(jī)汞、酒精等。
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